WEKO3
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{"_buckets": {"deposit": "b260f76d-a542-431a-bd41-ac3d71df5166"}, "_deposit": {"created_by": 2, "id": "23798", "owners": [2], "pid": {"revision_id": 0, "type": "depid", "value": "23798"}, "status": "published"}, "_oai": {"id": "oai:nagasaki-u.repo.nii.ac.jp:00023798", "sets": ["1671"]}, "author_link": ["100428", "100427", "100426", "100429", "100430", "100425"], "item_3_alternative_title_19": {"attribute_name": "その他のタイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_alternative_title": "Cu Impurity Level in Compound Semiconductor of ZnSe"}]}, "item_3_biblio_info_6": {"attribute_name": "書誌情報", "attribute_value_mlt": [{"bibliographicIssueDates": {"bibliographicIssueDate": "1999-03", "bibliographicIssueDateType": "Issued"}, "bibliographicPageEnd": "22", "bibliographicPageStart": "15", "bibliographicVolumeNumber": "60", "bibliographic_titles": [{"bibliographic_title": "長崎大学教育学部紀要. 自然科学"}]}]}, "item_3_description_4": {"attribute_name": "抄録", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "加速電子を物質に照射したときに得られる発光現象-カソードルミネスセンセンス (CL) 法-を使って, II-VI属化合物半導体ZnSeの結晶評価を行った。ZnSeは禁制帯幅(Eg)は2.67eVで, ワイドギャップ半導体材料の一つで, 青色から赤色までの可視光領域の発光をすることで知られている。特に青色は発光ダイオード用半導体材料として注目されている。Piper-Polish法により単結晶を成長させた不純物ドープ量の異なる3種のZnSe単結晶を選び, 室温でCLスペクトル測定を行い不純物準位を算出した。用意した3種の試料からの発光スペクトル図形は略同一となっているが, ピーク発光波長とその強度は異なっている。Cu不純物量が増大すると, 青色 : 462.5nm(2.68eV)は減衰し, 緑色 : 547.5nm(2.26eV)と赤色 : 615.0nm(2.02eV)の発光強度が増大する。さらにドープ量が増大すると, 全体に発光強度は衰退し, 緑色発光も減衰し, 赤色 : 615.0nm(2.02eV), 667.5nm(1.86eV)が中心となってくることが分かった。青色発光波長 : 462.5nm(2.68eV)はZnSeのバンド間遷移, 緑色発光 : 547.5nm(2.26eV)はCuドナー(0.4eV; Cu-Green)と充満帯間の遷移, 赤色発光 : 615.0nm(2.02eV)は, Cuアクセプタ(0.65eV; Cu-Red)-伝導帯間の遷移である。", "subitem_description_type": "Abstract"}]}, "item_3_description_64": {"attribute_name": "引用", "attribute_value_mlt": [{"subitem_description": "長崎大学教育学部紀要. 教育科学. vol.62, p.57-64; 2002@@@長崎大学教育学部紀要. 自然科学. vol.60, p.15-22; 1999", "subitem_description_type": "Other"}]}, "item_3_full_name_3": {"attribute_name": "著者別名", "attribute_value_mlt": [{"nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "100429", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}], "names": [{"name": "Takenoshita, Hiroshi"}]}, {"nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "100430", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}], "names": [{"name": "Takigawa, Ken"}]}]}, "item_3_source_id_10": {"attribute_name": "書誌レコードID", "attribute_value_mlt": [{"subitem_source_identifier": "AA11330079", "subitem_source_identifier_type": "NCID"}]}, "item_3_source_id_7": {"attribute_name": "ISSN", "attribute_value_mlt": [{"subitem_source_identifier": "13451359", "subitem_source_identifier_type": "ISSN"}]}, "item_3_text_62": {"attribute_name": "sortkey", "attribute_value_mlt": [{"subitem_text_value": "P00015-P00022"}]}, "item_creator": {"attribute_name": "著者", "attribute_type": "creator", "attribute_value_mlt": [{"creatorNames": [{"creatorName": "竹野下, 寛"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "100425", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}, {"creatorNames": [{"creatorName": "瀧川, 健"}], "nameIdentifiers": [{"nameIdentifier": "100426", "nameIdentifierScheme": "WEKO"}]}]}, "item_files": {"attribute_name": "ファイル情報", "attribute_type": "file", "attribute_value_mlt": [{"accessrole": "open_date", "date": [{"dateType": "Available", "dateValue": "2020-12-24"}], "displaytype": "detail", "download_preview_message": "", "file_order": 0, "filename": "KJ00000045760.pdf", "filesize": [{"value": "570.8 kB"}], "format": "application/pdf", "future_date_message": "", "is_thumbnail": false, "licensetype": "license_free", "mimetype": "application/pdf", "size": 570800.0, "url": {"label": "KJ00000045760.pdf", "url": "https://nagasaki-u.repo.nii.ac.jp/record/23798/files/KJ00000045760.pdf"}, "version_id": "b81d2d37-6299-4d90-820e-540364ce0e0e"}]}, "item_language": {"attribute_name": "言語", "attribute_value_mlt": [{"subitem_language": "jpn"}]}, "item_resource_type": {"attribute_name": "資源タイプ", "attribute_value_mlt": [{"resourcetype": "departmental bulletin paper", "resourceuri": "http://purl.org/coar/resource_type/c_6501"}]}, "item_title": "化合物半導体ZnSeのCu不純物準位", "item_titles": {"attribute_name": "タイトル", "attribute_value_mlt": [{"subitem_title": "化合物半導体ZnSeのCu不純物準位"}]}, "item_type_id": "3", "owner": "2", "path": ["1671"], "permalink_uri": "http://hdl.handle.net/10069/6063", "pubdate": {"attribute_name": "公開日", "attribute_value": "2007-02-08"}, "publish_date": "2007-02-08", "publish_status": "0", "recid": "23798", "relation": {}, "relation_version_is_last": true, "title": ["化合物半導体ZnSeのCu不純物準位"], "weko_shared_id": -1}
化合物半導体ZnSeのCu不純物準位
http://hdl.handle.net/10069/6063
http://hdl.handle.net/10069/6063f795426c-f9c1-4c39-a11c-13e800f9aae2
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KJ00000045760.pdf (570.8 kB)
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Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||
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公開日 | 2007-02-08 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 化合物半導体ZnSeのCu不純物準位 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||
著者 |
竹野下, 寛
× 竹野下, 寛× 瀧川, 健 |
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著者別名 | ||||||
姓名 | Takenoshita, Hiroshi | |||||
著者別名 | ||||||
姓名 | Takigawa, Ken | |||||
その他のタイトル | ||||||
その他のタイトル | Cu Impurity Level in Compound Semiconductor of ZnSe | |||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | 加速電子を物質に照射したときに得られる発光現象-カソードルミネスセンセンス (CL) 法-を使って, II-VI属化合物半導体ZnSeの結晶評価を行った。ZnSeは禁制帯幅(Eg)は2.67eVで, ワイドギャップ半導体材料の一つで, 青色から赤色までの可視光領域の発光をすることで知られている。特に青色は発光ダイオード用半導体材料として注目されている。Piper-Polish法により単結晶を成長させた不純物ドープ量の異なる3種のZnSe単結晶を選び, 室温でCLスペクトル測定を行い不純物準位を算出した。用意した3種の試料からの発光スペクトル図形は略同一となっているが, ピーク発光波長とその強度は異なっている。Cu不純物量が増大すると, 青色 : 462.5nm(2.68eV)は減衰し, 緑色 : 547.5nm(2.26eV)と赤色 : 615.0nm(2.02eV)の発光強度が増大する。さらにドープ量が増大すると, 全体に発光強度は衰退し, 緑色発光も減衰し, 赤色 : 615.0nm(2.02eV), 667.5nm(1.86eV)が中心となってくることが分かった。青色発光波長 : 462.5nm(2.68eV)はZnSeのバンド間遷移, 緑色発光 : 547.5nm(2.26eV)はCuドナー(0.4eV; Cu-Green)と充満帯間の遷移, 赤色発光 : 615.0nm(2.02eV)は, Cuアクセプタ(0.65eV; Cu-Red)-伝導帯間の遷移である。 | |||||
書誌情報 |
長崎大学教育学部紀要. 自然科学 巻 60, p. 15-22, 発行日 1999-03 |
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ISSN | ||||||
収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
収録物識別子 | 13451359 | |||||
書誌レコードID | ||||||
収録物識別子タイプ | NCID | |||||
収録物識別子 | AA11330079 | |||||
sortkey | ||||||
P00015-P00022 | ||||||
引用 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 長崎大学教育学部紀要. 教育科学. vol.62, p.57-64; 2002@@@長崎大学教育学部紀要. 自然科学. vol.60, p.15-22; 1999 |