@article{oai:nagasaki-u.repo.nii.ac.jp:00023806,
 author = {竹野下, 寛},
 journal = {長崎大学教育学部紀要. 自然科学},
 month = {Jun},
 note = {II-VI属化合物半導体ZnSe(Eg=2.68eV)の結晶評価の一環としてIn不純物の熱拡散を行い, カソードルミネスセンセンス(CL)法を使って不純物準位測定を試みた。In拡散源にはInCl_3(3N)とIn(6N)の2種を用い, ZnSe単結晶基板(6N), ドーパントInを石英アンプルに真空封入して熱拡散を行った。また, 比較用にZn(6N)雰囲気で熱処理した試料も準備した。電子線源には走査型電子顕微鏡を用い, 電子線の加速電圧=25kV, 吸収電流=1&acd;6×(10)^<-9>A, 試料への照射電子線経は約1μm^2である。拡散済みZnSe基板は劈開し, 劈開断面に電子線を照射してIn拡散が行われた場所(記号S)と中心部の未拡散場所(記号C)について2.5nmステップで400&acd;800nmの波長範囲を室温で測定した。ドーパントにInCl_3を用いた場合, CL発光強度は弱く, 拡散層は厚く, 不純物の拡散速度が速い(600℃, 4&acd;8×(10)^<-8>cm/sec)。CL発光は, (1) : 462.5nm (バンド間遷移), (2) : 547.5nm (Cuドナー-充満帯間遷移, (Cu-Green), (3) : 615.0nm (伝導帯-Cuアクセプタ間遷移, (Cu-Red), (4) : &acd;680nm (V_<Zn>(0.1eV)-I_<Se> (0.65eV)またはCl(0.19&acd;0.21eV)-Cu(0.65eV)間遷移)が観察された。これは, 使用したドーパントInCl_3(3N)の純度が不足し, 残留不純物としてのCuの効果が大きいことが分かった。ドーパントIn(6N)場合は, CL発光強度は全体に強く, 拡散層は薄い。拡散速度は600℃で3&acd;4×(10)^<-10>cm/secである。CLスペクトルから, 前者と同様に (1), (2), (3), (4)が観察された。純度6Nでも基板の残留不純物や拡散用容器などからのCu汚染があることを示している。, 長崎大学教育学部紀要. 教育科学. vol.64, p.13-27; 2003@@@長崎大学教育学部紀要. 自然科学. vol.61, p.11-21; 1999},
 pages = {11--21},
 title = {化合物半導体ZnSeへのIn拡散 - 1},
 volume = {61},
 year = {1999}
}